國家標準《III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準委。

本文件描述了用透射電子顯微鏡測試Ⅲ族氮化物半導體材料中位錯成像的方法。本文件適用于六方晶系Ⅲ族氮化物半導體的薄膜或體單晶中位錯成像的測試。

國家標準《 埋層硅外延片》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準委。

本文件規(guī)定了埋層硅外延片的產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于具有埋層結構的硅外延片的生產(chǎn)制造、測試分析和質量評價，產(chǎn)品主要用于制作集成電路芯片和半導體分立器件。

本標準規(guī)定了半導體材料中雜質含量的紅外吸收分析方法的術語、基本原理、儀器設備、樣品制備、測量條件、測量步驟和測量結果的計算。本標準適用于在紅外光譜區(qū)為透明的并在該區(qū)域產(chǎn)生雜質吸收帶的任何半導體單晶材料紅外分析方法。

國家標準《半導體材料術語》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準化管理委員會。

本文件界定了半導體材料的一般術語和定義，材料制備與工藝及缺陷的術語和定義，以及縮略語。本文件適用于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)、制備及相關領域。

國家標準《 碳化硅外延片》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準化管理委員會。

本文件規(guī)定了碳化硅外延片的產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸與貯存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于在導電型碳化硅襯底上，生長碳化硅同質外延層的外延片，產(chǎn)品用于制作碳化硅電力電子器件。

國家標準《藍寶石圖形化襯底片》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準化管理委員會。

本文件規(guī)定了藍寶石圖形化襯底片（以下簡稱“襯底”）的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于藍寶石圖形化襯底片的研發(fā)、生產(chǎn)、測試、檢驗及性能質量的評價。

國家標準《碳化硅晶體材料缺陷圖譜》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準化管理委員會。

本文件規(guī)定了導電型4H碳化硅(4HSiC)晶體材料缺陷的形貌特征，產(chǎn)生原因和缺陷圖譜。本文件適用于半導體行業(yè)碳化硅（晶錠、襯底片、外延片及后續(xù)工藝)的研發(fā)、生產(chǎn)及檢測分析等環(huán)節(jié)。

本文件規(guī)定了制備碳化硅半導體材料用化學氣相沉積法(CVD)外延設備（以下簡稱碳化硅外延設備）的產(chǎn)品分類、標記、組成及基本參數(shù)、工作條件、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸與貯存、質量承諾本文件適用于采用化學氣相沉積法(CVD)技術加工100mm（4英寸）、150mm（6英寸）和200mm（8英寸）SiC晶片的碳化硅外延設備本文件包含了制備碳化硅半導體材料用化學氣相沉積法(CVD)外延設備（以下簡稱“外延設備”）的產(chǎn)品分類、工作條件、技術要求、試驗方法、檢測規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存要求內(nèi)容，對外延設備的反應室系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、加工（碳化硅外延片）質量指標給出了統(tǒng)一技術參數(shù)及評價方法

通過對可靠性、加工效率、溫度壓力流量等關鍵參數(shù)控制，保證了設備的精準性、安全性

地方標準《富硒土壤調(diào)查規(guī)程》由江蘇省自然資源廳歸口上報，主管部門為江蘇省市場監(jiān)督管理局。

地方標準《富硒絲瓜生產(chǎn)技術規(guī)程》，主管部門為江西省市場監(jiān)督管理局。本文件規(guī)定了富硒絲瓜生產(chǎn)的術語和定義、產(chǎn)地環(huán)境、生產(chǎn)技術及檔案管理。本文件適用于贛州市富硒絲瓜的生產(chǎn)。

地方標準《硅材料中雜質元素含量測定 輝光放電質譜法》由中國科學院福建物質結構研究所歸口上報，主管部門為福建省質量技術監(jiān)督局。本標準規(guī)定了測定硅材料中雜質元素含量的輝光放電質譜法（GDMS)所涉及的術語和定義、原理、試劑與材料、儀器設備、樣品要求、樣品要求、分析步驟、結果計算、允許偏差。本標準適用于純度不高于99.99999%的硅材料中的雜質元素Li、Be、B、Na、Mg、A1、P、K、Th、U等元素的測定

地方標準《太陽能級類單晶硅錠用方籽晶通用技術要求》，主管部門為河北省市場監(jiān)督管理局。

地方標準《富硒含硒食品與相關產(chǎn)品硒含量標準》由陜西省質量技術監(jiān)督局歸口上報，主管部門為陜西省市場監(jiān)督管理局。本標準規(guī)定了富硒食品、含硒食品及相關產(chǎn)品中硒含量指標及檢驗方法。本標準適用于天然的富硒食品、含硒食品與相關產(chǎn)品。

行業(yè)標準《高純鍺粉》，主管部門為工業(yè)和信息化部。本文件規(guī)定了高純鍺粉的分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于以高純二氧化鍺為原料經(jīng)氫氣還原后，研磨、篩分生產(chǎn)的高純鍺粉。

行業(yè)標準《多晶硅用硅粉》，主管部門為工業(yè)和信息化部。本標準規(guī)定了多晶硅生產(chǎn)用硅粉的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書及訂貨單(或合同)內(nèi)容等。本標準適用于多晶硅生產(chǎn)用硅粉。